发明名称 |
一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法,包括:在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层;在该Ni层上涂敷光刻胶层,利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域,在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni,采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀,将衬底表面生长的Ni层刻掉,只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列;将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中,通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来;将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化,得到Pt掺杂的有序NiO纳米线阵列。本发明简单实用,掺杂后的传感器对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都将有很大的改善。 |
申请公布号 |
CN103072942A |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
CN201310017106.8 |
申请日期 |
2013.01.17 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
李冬梅;陈鑫;梁圣法;牛洁斌;张培文;刘宇;李小静;詹爽;张浩;罗庆;谢常青;刘明 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法,其特征在于,该方法包括:在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层;在该Ni层上涂敷光刻胶层,利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域,在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni,采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀,将衬底表面生长的Ni层刻掉,只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列;将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中,通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来;将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化,得到Pt掺杂的有序NiO纳米线阵列。 |
地址 |
100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |