| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包含金属硅化物层的半导体器件制备方法。本发明一个实施例的半导体器件的制备方法包括以下步骤：在形成有多晶硅图案的基底上形成绝缘层使得多晶硅图案露出；相对于绝缘层，在露出的多晶硅图案上选择性地形成硅晶种层；在形成有硅晶种层的基底上形成金属层；以及通过对形成有金属层的基底进行热处理，形成金属硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN103081064A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201180042743.X | 申请日期 | 2011.08.30 |
| 申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 金海元;禹相浩;赵星吉;张吉淳 |
| 分类号 | H01L21/24(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C01B33/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 王媛;钟守期 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，所述方法包括如下步骤：在形成有多晶硅图案的基底上形成绝缘层使得多晶硅图案露出；相对于绝缘层，在所述露出的多晶硅图案上选择性地形成硅晶种层；在形成有所述硅晶种层的所述基底上形成金属层；以及通过对形成有所述金属层的所述基底进行热处理，形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||