一种控温深硅刻蚀方法

摘要

本发明提供一种控温深硅刻蚀方法，用于感应耦合等离子体刻蚀机，该方法包括：正性光刻胶图形制作步骤，各向异性刻蚀步骤，各向同性淀积步骤，去除光刻胶步骤；其特征在于，该方法采用在所述刻蚀机的多处冷却并采用低温冷却液作为循环冷却液，从而获得低温，并且所述各向异性刻蚀步骤和各向同性淀积步骤交替循环刻蚀是在刻蚀机的等离子体刻蚀室的低温条件下完成的。本发明的有益效果是控温深硅刻蚀方法使交替刻蚀中的各向异性刻蚀步骤延长，各向同性淀积步骤缩短，从而提高刻蚀速率，垂直刻蚀易控制，并且使光刻胶的选择比大大提高。

主权项

一种控温深硅刻蚀方法，用于感应耦合等离子体刻蚀机，该方法包括：正性光刻胶图形制作步骤，各向异性刻蚀步骤，各向同性淀积步骤，去除光刻胶步骤；其特征在于，该方法采用在所述刻蚀机的多处冷却并采用低温冷却液作为循环冷却液，从而获得低温，并且所述各向异性刻蚀步骤和各向同性淀积步骤交替循环刻蚀是在刻蚀机的等离子体刻蚀室的低温条件下完成的。