基于应力作用的逐单元分离蓝宝石衬底的方法

摘要

本发明公开了一种基于应力作用的逐单元分离蓝宝石衬底的方法，采用第一类型激光实现GaN基外延的单元隔离，保证GaN基外延的单元独立性，同时利用第二类型激光扫描单元蓝宝石衬底与相邻未扫描单元蓝宝石衬底之间切向上的应力及GaN界面处氮气压力的共同作用下，实现蓝宝石衬底逐单元分离去除，可以显著提高激光剥离成品率。

主权项

一种基于应力作用的逐单元分离蓝宝石衬底的方法，其步骤如下：1）在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN基半导体层、活性层和P型GaN基半导体层，构成GaN基外延薄膜；2）采用第一类型激光按照单元芯片的尺寸或倍数于芯片的尺寸设置步进，划穿GaN基外延薄膜并延伸至蓝宝石衬底，实现GaN基外延薄膜单元化，同时生成气体逃离窗口及形成单元蓝宝石应力释放点；3）将以蓝宝石作为生长衬底的GaN基外延薄膜接合到支撑基板上，接合面为GaN基外延薄膜表面；4）减薄蓝宝石衬底至离应力释放点小于50微米厚度，但未裸露出应力释放点；5）采用第二类型激光透过蓝宝石衬底扫描辐照外延薄膜与蓝宝石衬底的界面区域，逐单元分离去除蓝宝石衬底，其中第二类型激光光斑尺寸的大小及步进必须与第一类型激光设置的一致。