TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括在透明基板上沉积第一透明导电薄膜及第一金属薄膜，对既定区域进行构图，形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形；沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜及掺杂半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括PAD区域的栅线连接孔以及半导体层的图形；沉积第二金属薄膜，对既定区域进行构图，沉积第二透明导电薄膜，进行离地剥离工艺，并刻蚀既定区域的第二金属薄膜及掺杂半导体薄膜，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道及像素电极的图形。本发明TFT-LCD阵列基板的制造方法，通过3次构图工艺制造了TFT-LCD阵列基板，相比现有技术，减少了工艺数，极大地节省成本，提高了市场竞争力。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤1：在透明基板上沉积第一透明导电薄膜及第一金属薄膜，对既定区域进行构图，形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形；步骤2：沉积栅绝缘薄膜、半导体薄膜及掺杂半导体薄膜，对既定区域进行构图，形成包括PAD区域的栅线连接孔以及半导体层的图形；步骤3：沉积第二金属薄膜，对既定区域进行构图，沉积第二透明导电薄膜，进行离地剥离工艺，并刻蚀既定区域的第二金属薄膜及掺杂半导体薄膜，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形。