发明名称 形成包含保护层的凸块结构的方法
摘要 本发明涉及一种形成包含保护层的凸块结构的方法,揭示于本文的一个示范方法包括下列步骤:在一层绝缘材料中形成导电垫,形成钝化层于该导电垫上方,对该钝化层执行至少一个蚀刻工艺以在该钝化层中定义暴露该导电垫的至少一部分的开口,在该钝化层上、在该开口中、以及在该导电垫的该暴露部分上形成保护层,形成热固化材料层于该保护层上方,执行蚀刻工艺以定义有暴露该保护层的一部分的开口的图案化热固化材料层,对该保护层执行蚀刻工艺以借此暴露该导电垫的至少一部分,以及形成导电耦合至该导电垫的导电凸块。
申请公布号 CN103077897A 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201210414687.4 申请日期 2012.10.25
申请人 格罗方德半导体公司 发明人 F·屈兴迈斯特;L·莱曼;A·普拉茨克;G·容尼克尔;S·考斯盖维斯
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种方法,其包含:在一层绝缘材料中形成导电垫;形成钝化层于该导电垫及该层绝缘材料上方;对该钝化层执行至少一个蚀刻工艺,以在该钝化层中定义暴露该导电垫的至少一部分的开口;在该钝化层上、在该开口中以及该导电垫的该暴露部分上形成保护层;在该保护层上方形成热固化材料层;对该热固化材料层执行蚀刻工艺,以定义具有暴露该保护层的一部分的开口的图案化热固化材料层;执行蚀刻工艺,以移除该保护层的该暴露部分,借此暴露该导电垫的至少一部分;以及在移除该保护层的该暴露部分后,形成导电耦合至该导电垫的导电凸块。
地址 英属开曼群岛大开曼岛