| 发明名称 | 应变硅通道半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种应变硅通道半导体结构及其制作方法，其方法包含：提供一基底；在该基底上形成至少一栅极结构；进行一蚀刻制作工艺以于该栅极结构侧边的该基底中形成至少一凹槽，该凹槽的侧壁向该栅极结构方向凹入且与水平面呈一夹角；以及进行一预烤制作工艺改变该凹槽的形状，使得该凹槽侧壁与水平面所呈夹角变大。 | ||
| 申请公布号 | CN103077959A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201110328839.4 | 申请日期 | 2011.10.26 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨建伦;郭敏郎;廖晋毅;简金城;詹书俨;吴俊元 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种应变硅通道半导体结构，包含：基底，其具有上表面；栅极结构，其设于该上表面；至少一凹槽，分别形成于该栅极结构侧边的该基底中，其中该凹槽具有至少一侧壁，该侧壁还具有上侧壁面与下侧壁面向该栅极结构方向凹入且该上侧壁面与水平面呈一介于54.5°～90°之间的夹角；以及外延层，填满该凹槽。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||