发明名称 多通道微谐振腔阵列结构
摘要 多通道微型谐振腔阵列结构是一种用于波长选择的的具有多通道的微型谐振腔阵列结构,该阵列结构由多个多通道微型谐振腔2×2阵列单元组合而成,每个多通道微型谐振腔2×2阵列单元上设有4个微型谐振腔即第一微型谐振腔(111)、第二微型谐振腔(112)、第三微型谐振腔(113)、第四微型谐振腔(114)、4根垂直交叉放置的波导即第一波导(211)、第二波导(212)、第三波导(213)、第四波导(214)和四个调制电极;该阵列结构通过将谐振腔设置在输入输出波导的不同位置,改变其输入输出端口,从而实现光波的多向传输。该结构由微米/纳米集成光电子技术制作而成,具有体积小、重量轻、成本低等优点,适用于大规模生产。
申请公布号 CN101915962B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201010237689.1 申请日期 2010.07.27
申请人 东南大学 发明人 孙小菡;洪玮
分类号 G02B6/293(2006.01)I 主分类号 G02B6/293(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种多通道微谐振腔阵列结构,其特征在于所述的阵列结构由多个多通道微型谐振腔2×2阵列单元组合而成,每个多通道微型谐振腔2×2阵列单元上设有4个微型谐振腔即第一微型谐振腔(111)、第二微型谐振腔(112)、第三微型谐振腔(113)、第四微型谐振腔(114)、4根垂直交叉放置的波导即第一波导(211)、第二波导(212)、第三波导(213)、第四波导(214)、四个调制电极(3)和位于中间的中部谐振腔(4),其中,第一波导(211)、第二波导(212)与第三波导(213)、第四波导(214)垂直交叉放置构成井字形结构,第一微型谐振腔(111)位于第一波导(211)与中间谐振腔(4)之间,第二微型谐振腔(112)位于第四波导(214)与中间谐振腔(4)之间,第三微型谐振腔(113)位于第三波导(213)与中间谐振腔(4)之间,第四微型谐振腔(114)位于第二波导(212)与中间谐振腔(4)之间;第一调制电极(311)、第二调制电极(312)、第三调制电极(313)、第四调制电极(314)分别位于第一微型谐振腔(111)、第二微型谐振腔(112)、第三微型谐振腔(113)、第四微型谐振腔(114)旁。
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