发明名称 四氯化硅的无害化处理及综合利用方法
摘要 本发明涉及一种四氯化硅的无害化处理及综合利用方法,属于节能减排及环保领域。本发明是以纳米二氧化钛固载催化剂,催化水解四氯化硅反应生成的液体,再投加氢氧化钙,反应生成氯化钙和硅酸钙沉淀,硅酸钙沉淀经洗涤烘干制成水合硅酸钙,蒸发氯化钙的冷凝水及沉降分离硅酸钙的液体,回收返回四氯化硅水解工艺再利用。本发明生产流程中的水无成染,可循环使用,节能减排,综合利用,实现四氯化硅的无害化处理;同时生成的硅酸钙沉淀的方法,可实现水合硅酸钙的工业化生产,从而填补了国内水合硅酸钙生产的空白。
申请公布号 CN102417227B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201110256122.3 申请日期 2011.09.01
申请人 柯玉章 发明人 柯玉章
分类号 C02F1/58(2006.01)I 主分类号 C02F1/58(2006.01)I
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人 赵丽
主权项 一种四氯化硅的无害化处理及综合利用方法,其特征在于:具体工艺步骤如下:A、于四氯化硅水解反应生成液体存储池内,贴上纳米二氧化钛固载催化剂瓷砖,每立方米液体用3~5平方米,在自然光照射下,催化1~3小时;B、于催化后的液体中加入氢氧化钙,pH值控制在8~10,即反应生成溶解于水的氯化钙和硅酸钙沉淀;C、将步骤B生成的氯化钙液体和硅酸钙沉淀分离,硅酸钙沉淀经洗涤烘干制成水合硅酸钙,分离的液体回收返回四氯化硅水解工艺再利用;所述纳米二氧化钛固载催化剂的制备方法依次按以下步骤进行:①清洁载体:将需烧固二氧化钛膜面的陶瓷载体表面清洁去污;②涂覆成膜:将配制的膜液均匀涂覆于已清洁去污的陶瓷载体表面形成膜面,涂覆量为:每平方厘米涂覆二氧化钛1~4毫克;③入窑烧制:将已形成膜面的陶瓷载体送入窑内烧固膜面,控制烧制温度:600~900℃、烧制时间:20~40分钟;④出窑冷却:即制得烧固有二氧化钛膜面的陶瓷成品;所述的清洁载体的步骤之前还包括配制膜液的步骤:膜液的原料配方按重量计:TiO2 1份;NaHCO3 0.01~0.03份;H2O 2~5份;CuSO4·5H2O 0.04~0.06份;经称量后放入容器内充分搅拌即制得膜液。
地址 614900 四川省乐山市市中区滨河路959号1栋2单元4楼2号
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