| 摘要 |
<p>Une structure optique intégrée comporte au moins un isolateur optique (1), comprenant une couche magnéto-optique (16), associé à au moins un amplificateur optique de type SOA comprenant un guide d'onde (6) comportant une couche de semiconducteur (7) dopé n, une couche de semiconducteurs (9) dopé p, et une zone active (8) disposée entre la couche de semiconducteur (7) dopé n et la couche de semiconducteurs (9) dopé p. L'isolateur optique (1) est disposé entre un socle (2) de type SOI et le guide d'onde (6) de l'amplificateur optique SOA (10). De préférence la couche magnéto-optique (16) de l'isolateur optique (1) est disposée entre une couche isolante inférieure (15) et une couche isolante supérieure (14). La couche magnéto-optique (16) de l'isolateur optique (1) peut être une couche de matériau métallique ferromagnétique, tel qu'un alliage métallique Fe-Co, ou une couche d'oxyde magnétique. Un dispositif optique comporte au moins une telle structure optique intégrée.</p> |
