| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de définition d'au moins une zone isolante dans un substrat semiconducteur (30), comprenant une étape de formation d'une tranchée dans le substrat (30) et une étape de formation d'un matériau isolant (36') dans la tranchée dont la surface supérieure surplombe la surface du substrat (30). Le procédé comprend une étape de formation, dans une portion du matériau isolant (36) situé au-dessus de la surface du substrat semiconducteur (30), d'une couche barrière à la diffusion (38). |
