发明名称 |
Ein Halbleiterbauelement mit einem Durchkontakt und ein Herstellungsverfahren dafür |
摘要 |
<p>Gemäß einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100): Bereitstellen eines Wafer (40) mit einem Halbleitersubstrat (30) mit einer ersten Seite (15), einer zweiten Seite (16) gegenüber der ersten Seite (15) und einem auf der ersten Seite (15) angeordneten Dielektrikumsgebiet (7), Montieren des Wafer (40) mit der ersten Seite (15) auf ein Trägersystem (50), Ätzen eines tiefen vertikalen Grabens (19) von der zweiten Seite (16) durch das Halbleitersubstrat (30) zu dem Dielektrikumsgebiet (7), wodurch ein Mesagebiet von dem verbleibenden Halbleitersubstrat (30) isoliert wird, und Füllen des tiefen vertikalen Grabens (19) mit einem Dielektrikumsmaterial.</p> |
申请公布号 |
DE102012110133(A1) |
申请公布日期 |
2013.04.25 |
申请号 |
DE201210110133 |
申请日期 |
2012.10.24 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
GRUBER, HERMANN;GROSS, THOMAS;MEISER, ANDREAS;ZUNDEL, MARKUS |
分类号 |
H01L21/60;H01L21/301;H01L21/336;H01L21/78;H01L23/482 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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