| 摘要 |
<p>Umfasst sind ein Halbleitersubstrat (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das, auf einer Oberflächenseite, eine Dotierstoffdiffusionsschicht (3), in die ein Dotierstoffelement eines zweiten Leitfähigkeitstyps diffundiert ist, eine Elektrode (5) einer Licht empfangenden Oberflächenseite, die mit der Dotierstoffdiffusionsschicht (3) elektrisch verbunden ist und auf der einen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats (2) gebildet ist, und eine Elektrode (7) einer Rückoberflächenseite, die auf der anderen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats (2) gebildet ist, aufweist. Eine erste Unebenheitsstruktur, die erste vorspringende Abschnitte, die jeweils eine quadratische Pyramidenform haben, in einer Bildungsregion der Elektrode der Licht empfangenden Oberflächenseite, in der die Elektrode (5) der Licht empfangenden Oberflächenseite gebildet ist, auf der einen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats (2), die die Dotierstoffdiffusionsschicht (3) aufweist, aufweist. Eine zweite Unebenheitsstruktur, die zweite vorspringende Abschnitte, die jeweils eine quadratische Pyramidenform haben und größer als die ersten vorspringenden Abschnitte sind, in einer Region, in der die Elektrode (5) der Licht empfangenden Oberflächenseite nicht gebildet ist, auf der einen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats (2), die die Dotierstoffdiffusionsschicht (3) aufweist, aufweist.</p> |
