Halbleitereinrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitereinrichtung

摘要

Die Durchbruchspannungscharakteristik einer Halbleitereinrichtung kann verbessert werden. Die Halbleitereinrichtung hat ein Abschlussgebiet, das ein Zellgebiet umgibt. In dem Zellgebiet sind Hauptgräben gebildet. In dem Abschlussgebiet sind Abschlussgräben gebildet, die das Zellgebiet umgeben. Einer der Abschlussgräben ist an der innersten Umfangsseite der Abschlussgräben lokalisiert. Eine Raumregion ist auf der Oberfläche einer Drift-Region gestapelt. Die Hauptgräben erreichen die Drift-Region und haben darin gebildete Gate-Elektroden. Der eine der Abschlussgräben erreicht die Drift-Region und ihre Wand und ihr Boden sind bedeckt mit einer Oxidschicht. Eine Oberfläche der Oxidschicht, die den Boden des einen der Abschlussgräben bedeckt, ist mit einer vergrabenen Elektrode bedeckt. Eine Gate-Spannung ist an die vergrabene Elektrode angelegt.