发明名称 |
氧化铜分级阵列薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氧化铜分级阵列薄膜及其制备方法。薄膜由位于基底上的表面覆有氧化铜的微米球和亚微米球组成,薄膜的厚度为1~10μm,其中的微米球按六方有序排列、亚微米球位于微米球之间,微米球和亚微米球的球直径分别为1~10μm和100~800nm,氧化铜为棒长为50~400nm、棒直径为30~60nm的棒簇状;方法为先于基底上将微米球合成为六方紧密排列的单层晶体模板,再使用活性等离子体刻蚀模板,得到其上的微米球呈六方有序松散排列的模板,接着,先将亚微米球充填于模板的微米球之间的空隙中,得到复合晶体模板,再使用激光脉冲沉积法于复合晶体模板上沉积氧化铜,制得目标产物。它可广泛地用于仿生材料、催化、光电子、微流体器件、气敏器件等领域。 |
申请公布号 |
CN103058124A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201110329940.1 |
申请日期 |
2011.10.21 |
申请人 |
中国科学院合肥物质科学研究院 |
发明人 |
李越;段国韬;刘广强;张洪文;蔡伟平 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 |
代理人 |
任岗生;王挺 |
主权项 |
一种氧化铜分级阵列薄膜,包括表面覆有氧化铜的微球,其特征在于:所述微球为微米球和亚微米球,所述微米球和亚微米球位于基底上,并组成厚度为1~10μm的薄膜,所述薄膜中的微米球按六方有序排列、亚微米球位于微米球之间;所述微米球的球直径为1~10μm,所述亚微米球的球直径为100~800nm;所述氧化铜为棒簇状,所述构成棒簇的氧化铜棒的棒长为50~400nm、棒直径为30~60nm。 |
地址 |
230031 安徽省合肥市1110信箱 |