发明名称 |
对准标记及缺陷检测方法 |
摘要 |
本发明是披露一种对准标记及缺陷检测方法。该缺陷检测方法首先利用一第一缺陷检测系统对一晶片进行一第一缺陷检测步骤,晶片上具有至少一对准标记,第一缺陷检测步骤另包含对准该对准标记,且对准标记为第一缺陷检测步骤的参考点(reference point)。然后对晶片进行一工艺,并接着利用一第二缺陷检测系统对晶片进行一第二缺陷检测步骤,第二缺陷检测步骤另包含对准该对准标记,且对准标记为第二缺陷检测步骤的参考点。 |
申请公布号 |
CN101719477B |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN200810166502.6 |
申请日期 |
2008.10.09 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
周玲君;陈铭聪;刘喜华;雷舜诚;曹博昭 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种缺陷检测的方法,包含:利用一第一缺陷检测系统对一晶片进行一第一缺陷检测步骤,其中该晶片上具有至少一对准标记,且该第一缺陷检测步骤另包含对准该对准标记,并以该对准标记作为该第一缺陷检测步骤的参考点,其中该第一缺陷检测步骤包含取得一第一缺陷图谱;对该晶片进行至少一工艺;以及利用一第二缺陷检测系统对该晶片进行一第二缺陷检测步骤,该第二缺陷检测步骤另包含对准该对准标记,且该对准标记为该第二缺陷检测步骤的参考点,其中该第二缺陷检测步骤包含取得一第二缺陷图谱;比对该第一缺陷图谱与该第二缺陷图谱;其特征在于,其中该第一缺陷检测步骤为一光学检测步骤,且该第二检测步骤为一电子检测步骤,两个缺陷检测步骤在进行对准时采用相同的对准标记而具有相同的参考点。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |