一种太阳电池复合减反射膜的制备工艺

摘要

本发明涉及一种太阳电池复合减反射膜的制备工艺，是一种物理法沉积制备工艺。选取ZnO、TiO2、SiO2和MgF2四种减反射膜材料，采用Sub|MHLF|Air的四层膜系结构,Sub为玻璃、M为TiO2-ZnO复合膜层、H为TiO2膜层、L为SiO2膜层、F为MgF2膜层、Air为空气来进行宽带增透膜的制备。实现薄膜结构和厚度的可控生长。达到成品膜层致密、针孔少、附着力强，在350—1200nm波段平均透射率达96.8％的技术指标。

主权项

一种太阳电池复合减反射膜的制备工艺，首先，在玻璃基底上采用脉冲反应磁控溅射在基底上沉积TiO2‑ZnO复合膜层；然后，依次采用脉冲反应磁控溅射层叠沉积TiO2膜层、SiO2膜层及MgF2膜层；最后，将四层膜系结构的减反射薄膜样品放入退火炉内进行退火处理，得到多层减反射膜, 其特征在于:其按以下步骤实施,（1）以纯度为99.999％的Ar和O2作为溅射气体和反应气体，以钛靶和锌靶为靶材，采用脉冲反应磁控溅射在玻璃基底上沉积TiO2‑ZnO复合膜层；(2) 以纯度为99.999％的Ar和O2作为溅射气体和反应气体，以钛(Ti)靶为靶材，采用脉冲反应磁控溅射在TiO2‑ZnO复合膜层上沉积TiO2 膜层；（3）以纯度为99.999％的Ar作为溅射气体，以纯度为99.999％的SiO2靶为靶材，采用脉冲反应磁控溅射在TiO2膜层上沉积SiO2膜层；（4）以纯度为99.999％的Ar作为溅射气体，以纯度为99.99％的MgF2化合物单靶为靶材，采用脉冲反应磁控溅射在SiO2膜层上沉积MgF2膜层；（5）沉积完的减反射膜退火处理：将沉积品置于退火炉内，并充入流量40sccm的氮气，采用500oC炉温退火5 min, 得复合减反射膜成品。