用于制造掺杂的氧化锌的方法

摘要

本发明涉及一种制造用于晶体管中的锌氧化物基薄膜半导体的方法，包括在基材上薄膜沉积，包括提供多种气态材料，该气态材料包括第一，第二，和第三气态材料，其中第一气态材料是含锌挥发性材料和第二气态材料是对其具有反应性的，使得当第一或第二气态材料之一在基材的表面上，第一或第二气态材料的另一种将反应从而在基材上形成材料层，其中第三气态材料是惰性的和其中挥发性的含铟化合物被引入到第一反应性气态材料或附加的气态材料。

主权项

一种制造n型锌氧化物基薄膜半导体的方法，该方法将薄膜材料沉积在基材的表面区域，该表面区域是整个表面区域或者所选择的部分，其中沉积是通过在大气压或大气压以上的压力下进行的原子层沉积方法，其中在沉积期间该基材的温度是在300℃以下，和其中原子层沉积方法包括：同时沿着基本上平行的细长通道引导一系列气流通过与基材间隔开的多个输出口，该气流依次包括在沉积期间包括具有摩尔流的含锌化合物的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体、和第二反应性气态材料，和在相对于多个输出口的方向上输送基材，使得在基材表面区域上的任意点经过顺序的第一反应性气态材料、惰性吹扫气体、和第二反应性气态材料，由此该顺序导致薄膜通过在基材的表面区域上原子层沉积而形成，其中挥发性的含铟的化合物被引入到第一反应性气态材料或者补充的气态材料，使得含铟的化合物具有大于20％的含锌化合物的摩尔流水平的摩尔流。