| 发明名称 | 用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法 | ||
| 摘要 | 用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法。本发明提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨半导体晶片的背面时，将该粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，其中，该粘合片以从回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层的和基材，该中间层具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和中间层的厚度为300至600μm。此外，本发明还提供用于研磨半导体晶片背面的方法，该方法包括以下步骤：将上述粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，接着研磨半导体晶片背面。 | ||
| 申请公布号 | CN101518887B | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN200910118648.8 | 申请日期 | 2009.02.27 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 川岛教孔;浅井文辉 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨所述半导体晶片的背面时，将所述粘合片粘合至所述半导体晶片的回路形成表面，其中，所述粘合片从所述回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层和基材，其中，所述中间层具有高于55至低于80的JIS‑A硬度，和其中，所述中间层具有400至600μm的厚度，其中所述中间层包括选自以下组成的组中的至少一种：密度低于0.89g/cm3的低密度聚乙烯；乙酸乙烯酯含量为30至50重量％的乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物；和丙烯酸烷基酯单元含量为30至50重量％的乙烯‑丙烯酸烷基酯共聚物，其中所述烷基具有1至4个碳原子。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||