发明名称 |
相变存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种相变存储器及其制造方法。根据本发明的相变存储器中,使用设置在存储节点顶部的顶部电极对存储节点进行加热,使得存储节点中的相变层发生相变。本发明的相变存储器中,顶部电极与存储节点的接触区域较小,有利于相变的进行。此外,每列存储节点通过同一个线性顶部电极连接,能够提高光学对准的偏移裕量。 |
申请公布号 |
CN103066202A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201110322547.X |
申请日期 |
2011.10.21 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
胡敏达;洪中山 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
马景辉 |
主权项 |
一种相变存储器单元,包括:存储节点,所述存储节点包括相变层;以及顶部电极,所述顶部电极设置在所述存储节点顶部,并且所述顶部电极的一端电连接到所述存储节点,所述顶部电极的另一端电耦合到位线,其中,所述顶部电极通过对所述存储节点进行加热,使得所述相变层发生相变。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 |