发明名称 |
锗硅异质结双极晶体管及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管,在有源区周侧的浅槽场氧底部形成有一槽,在槽中填充有多晶硅,由填充于槽中的多晶硅形成多晶硅赝埋层,在多晶硅赝埋层中掺入有N型杂质,N型杂质还扩散至多晶硅赝埋层周侧的硅衬底中形成第一N型掺杂区,由多晶硅赝埋层和第一N型掺杂区组成集电极连接层,集电极连接层和集电区在浅槽场氧的底部相接触;由在多晶硅赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀,能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀,从而能提高SiGe HBT的截止频率。 |
申请公布号 |
CN103066119A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201110326327.4 |
申请日期 |
2011.10.24 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊 |
分类号 |
H01L29/737(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/737(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种锗硅异质结双极晶体管,形成于硅衬底上,有源区由浅槽场氧隔离,其特征在于:所述锗硅异质结双极晶体管的集电区由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成,所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部;在所述有源区周侧的所述浅槽场氧底部形成有一槽,在所述槽中填充有多晶硅,由填充于所述槽中的所述多晶硅形成多晶硅赝埋层,在所述多晶硅赝埋层中掺入有N型杂质,所述N型杂质还扩散至所述多晶硅赝埋层周侧的所述硅衬底中形成第一N型掺杂区,由所述多晶硅赝埋层和所述第一N型掺杂区组成集电极连接层,所述集电极连接层和所述集电区在所述浅槽场氧的底部相接触;由在所述多晶硅赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触,所述深孔接触和所述多晶硅赝埋层接触并引出集电极。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |