一种晶体硅太阳能电池扩散方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散方法。它具体有如下步骤：1）将制绒后的硅片表面制作发射极；2）将步骤1所得硅片采用HF酸溶液进行磷硅玻璃去除；3）将步骤2所得硅片表面制作二氧化硅层。本发明使得硅片表面浓度降低，从而降低了表面复合及缺陷浓度，氧化硅的钝化作用减少了硅悬空键，减少表面态，提高少数载流子寿命，使短路电流密度提高；同时，PN结区的拓宽，使开路电压得到提高，本发明不仅可以有效的提高电池的转化效率，还可以提高扩散方阻的均匀性。

主权项

一种晶体硅太阳能电池扩散方法，步骤包括：（1）将制绒后的硅片表面制作结深为0.1‑0.3微米的发射极，方阻为50‑90ohm/sq；（2）将步骤1所得硅片置于盛有1~10%氢氟酸中，反应时间30~100s，除去硅片表面上的磷硅玻璃；（3）将步骤2所得硅片表面制作一层1‑10nm的二氧化硅层。