| 发明名称 | 一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法。利用大马士革工艺制造磁隧穿结器件，从而在绝缘层的开口内形成杯形的磁隧穿结器件。进一步的，在杯形的磁隧穿结器件侧壁顶部形成钝化层，以封闭该侧壁顶部，从而减少磁力线的泄露。通过上述工艺，可以使得磁隧穿结器件共用CMOS工艺线，并且提高磁隧穿结器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103066199A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201110318281.1 | 申请日期 | 2011.10.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 季明华;韩秀峰;于国强 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种磁隧穿结半导体器件，包括：第一电介质层，在所述第一电介质层中具有开口；位于所述开口中的具有杯形形状的磁隧穿结。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||