发明名称 | 具有降低的AC损耗的多细丝超导体及其形成方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种高温超导体结构,其包括:其上沉积有至少一个缓冲层的基片,所述缓冲层上的超导体层,超导层由超导体材料构成,所述超导体材料形成至少两个基本上平行并沿着所述基片的长度连续延伸的超导体细丝,其中至少两个超导体细丝彼此之间被至少一个绝缘条带隔开,其中所述绝缘条带沿着所述基片的长度连续延伸,并由电阻率高于约1mΩcm的绝缘材料构成。还公开了生产高温超导体的方法。 | ||
申请公布号 | CN103069595A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
申请号 | CN201180040575.0 | 申请日期 | 2011.06.22 |
申请人 | 休斯敦大学体系 | 发明人 | 文卡特·塞尔瓦玛尼卡姆;森希尔·萨姆班达姆 |
分类号 | H01L39/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L39/02(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘慧;杨青 |
主权项 | 一种超导体结构,其包含:其上沉积有至少一个缓冲层的基片,所述基片具有一定长度和宽度,其中所述基片具有不小于约102的尺寸比;所述至少一个缓冲层上的超导体层,所述超导体层包含超导体材料,所述超导体材料形成至少两个基本上平行并沿着所述基片的长度连续延伸的超导体细丝;其中所述至少两个超导体细丝彼此之间被至少一个具有彼此相对的第一表面和第二表面的绝缘条带隔开,所述第一表面覆盖所述缓冲层,以及所述第二表面基本上不含所述超导体材料;其中所述至少一个绝缘条带沿着所述基片的长度连续延伸,并包含电阻率高于约1mΩcm的绝缘材料。 | ||
地址 | 美国德克萨斯州 |