发明名称 |
一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法,包括对硅片磷扩散形成PN结、去除硅片边缘和背结、对硅片正面镀减反膜;其特征在于,还包括如下步骤:(1)对硅片背表面镀钝化层;(2)在硅片背表面印刷两种浆料,一种为实现背面局部欧姆接触的浆料,一种为实现背面电场浆料;(3)丝网印刷硅片正面电极、背面电极、背面电场,烧结形成欧姆接触。本发明通过在硅片背表面印刷两种浆料,设备稳定,维护方便,价格低,可以大规模在工业化生产中应用。这种方法,相比于光刻法和激光烧结方法,腐蚀浆料和激光去除介质层的方法,可以节省时间和成本,整个生产过程的工序流程更短。 |
申请公布号 |
CN103066158A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201310009193.2 |
申请日期 |
2013.01.10 |
申请人 |
中电电气(南京)光伏有限公司 |
发明人 |
时宝;宣荣卫;郭树恒;贺亚妮;吕俊 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 |
代理人 |
陈扬 |
主权项 |
一种背电场区域接触晶体硅太阳电池的制备方法,包括对硅片磷扩散形成PN结、去除硅片边缘和背结、对硅片正面镀减反膜;其特征在于,还包括如下步骤:(1)对硅片背表面镀钝化层;(2)在硅片背表面印刷两种浆料,一种为实现背面局部欧姆接触的穿透浆料,一种为实现背面电场的背面电场浆料;(3)丝网印刷硅片正面电极、背面电极、背面电场,烧结形成欧姆接触。 |
地址 |
211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号 |