| 发明名称 |
Method for forming buried contacts in a semiconductor memory device with deep trench capacitor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1732125(B1) |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
| 申请号 |
EP20060011004 |
申请日期 |
2006.05.29 |
| 申请人 |
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION |
发明人 |
LEE, PEI-ING |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/66;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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