发明名称 |
包括具有在其侧壁上增强的氮浓度的SiON栅电介质的MOS晶体管 |
摘要 |
一种形成集成电路的方法(100),该集成电路具有至少一个MOS器件,该方法包括在硅表面上形成SiON栅电介质层(101,102,103),在SiON栅层上淀积栅电极层(104),并且接着进行图形化(105)从而形成栅堆叠并暴露栅电介质侧壁。接着在暴露的SiON侧壁上形成(106)补充的氧化硅层,之后进行氮化(107)和氮化后退火(108)。这得到包括N增强型SiON侧壁的退火的N增强型SiON栅电介质层,其中,沿着恒定厚度的线,在N增强型SiON侧壁处的氮浓度>退火的N增强型SiON栅层的体内的氮浓度-2at.%。 |
申请公布号 |
CN103069552A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201180038178.X |
申请日期 |
2011.08.04 |
申请人 |
德克萨斯仪器股份有限公司 |
发明人 |
B·K·柯克帕特里克;J·J·阐莫波斯 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
一种形成集成电路的方法,所述集成电路包括在晶圆上的至少一个MOS器件,所述晶圆具有包括硅的顶表面,所述方法包括:在所述顶表面上形成SiON栅电介质层;在所述栅电介质层上淀积栅电极层;对所述栅电极层图形化,从而形成栅堆叠,由此通过所述图形化暴露SiON侧壁和栅电极侧壁;在暴露的所述SiON侧壁上形成补充的氧化硅层;氮化所述补充层;在所述氮化以后,执行退火,由此形成包括N增强型SiON侧壁的退火的N增强型SiON栅电介质层;其中,沿着所述退火的N增强型SiON栅层的恒定厚度的线,在所述N增强型SiON侧壁处的氮浓度≥所述退火的N增强型SiON栅层的体内的氮浓度‑2at.%;以及在所述栅堆叠的相对侧上形成彼此间隔开的源极区和漏极区,从而定义所述栅堆叠下面的沟道区。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |