发明名称 |
深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法 |
摘要 |
本发明公开了一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法,包括:获取刻蚀关键尺寸差值;根据刻蚀位置距离晶圆中心位置的距离和所述刻蚀关键尺寸差值对晶圆刻蚀的掩蔽层版图进行补偿;按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀。本发明通过以关键尺寸差值的1/2作为补偿值对掩蔽层版图的刻蚀图案尺寸进行补偿,改善由于深沟槽刻蚀工艺中晶圆不同位置关键尺寸分布不均导致的刻蚀速率和刻蚀尺寸差异,大大提高了深沟槽刻蚀结构的关键尺寸均匀性。 |
申请公布号 |
CN103065943A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201310008959.5 |
申请日期 |
2013.01.10 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
章安娜;李晓明 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
马晓亚 |
主权项 |
一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法,包括:获取在深沟槽刻蚀工艺后晶圆中心位置与晶圆边缘位置的刻蚀关键尺寸差值;根据刻蚀位置距离晶圆中心位置的距离和所述刻蚀关键尺寸差值对晶圆刻蚀的掩蔽层版图进行补偿,使得所述掩蔽层版图露出的刻蚀图案尺寸在晶圆半径方向上由中心到边缘逐渐减小,且所述掩蔽层版图在晶圆边缘位置露出的刻蚀图案尺寸比在晶圆中心位置露出的刻蚀图案尺寸小所述刻蚀关键尺寸差值的二分之一;按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |