发明名称 |
CMOS影像传感器像元结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CMOS影像传感器的像元结构及其制备方法,该结构包括硅衬底上的光敏元件和用于标准CMOS器件的多层结构,在所述光敏元件的上方具有形成透光空间的深沟槽,其中,所述深沟槽的侧壁由光线反射屏蔽层环绕,所述光线反射屏蔽层在纵向上连续排布,以反射入射到所述光线反射屏蔽层的光线。本发明将深沟槽被环形的金属互连线、通孔、接触孔和多晶硅所包围,使入射到上面的光线基本被完全反射,避免了光学出串扰的发生,有效地提高了像元的光学分辨率和灵敏度,提升了芯片的性能和可靠性。 |
申请公布号 |
CN103066089A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201210575311.1 |
申请日期 |
2012.12.26 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
康晓旭;赵宇航 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种CMOS影像传感器的像元结构,其包括硅衬底上的光敏元件和用于标准CMOS器件的多层结构,在所述光敏元件的上方具有形成透光空间的深沟槽,其特征在于:所述深沟槽的侧壁由光线反射屏蔽层环绕,所述光线反射屏蔽层在纵向上连续排布,以反射入射到所述光线反射屏蔽层的光线。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |