| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括晶体衬底和位于其上的具有暴露部分晶体衬底的孔的电介质层。该半导体结构还包括位于孔内和电介质层上的、与所述晶体衬底成份不同的半导体层。位于所述孔上方的所述半导体层的部分包括缺陷。位于所述电介质层上方的所述半导体层的部分不包括缺陷。通过去除位于所述孔上方的半导体层的部分，形成了缺陷减少的绝缘体上半导体异质结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101944538B | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201010220966.8 | 申请日期 | 2010.07.01 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 斯蒂芬·W·贝德尔;金志焕;亚历山大·雷兹尼塞克;德温德拉·K·萨达纳 |
| 分类号 | H01L29/30(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/3215(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：晶体衬底，其中，所述晶体衬底是晶体硅半导体衬底；位于所述晶体衬底上并且具有暴露部分所述晶体衬底的孔的电介质层；位于所述孔内并且在所述孔上方并且在所述电介质层上的、与所述晶体衬底的成份不同的半导体层，所述半导体层包括含锗半导体材料，其中位于所述孔内和所述孔上方的所述半导体层的部分具有大于每平方厘米107的缺陷密度区；并且位于所述电介质层上方的半导体层的部分具有小于每平方厘米106的缺陷密度区。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||