| 发明名称 | SONOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SONOS器件，阱(10)之上为碳化硅(20)，阱(10)和碳化硅(20)形成一个异质结；碳化硅(20)之上为ONO层(12)；ONO层(12)具体包括位于下方的氧化硅(121)、位于中间的氮化硅(122)和位于上方的氧化硅(123)；ONO层(12)之上为多晶硅栅极(13)及其两侧的氮化硅侧墙(14)；氮化硅侧墙(14)两侧下方的阱(10)中具有轻掺杂漏注入区(15)；阱(10)中且在碳化硅(20)和轻掺杂漏注入区(15)外侧具有漏注入区(16)。本发明利用碳化硅材料，从而在相同的外加电压下获得更加快速的写入和擦除速度。 | ||
| 申请公布号 | CN102130179B | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201010027326.5 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈广龙 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种SONOS器件，其特征是，阱(10)之上为碳化硅(20)，阱(10)和碳化硅(20)形成一个异质结；碳化硅(20)之上为ONO层(12)；ONO层(12)具体包括位于下方的氧化硅(121)、位于中间的氮化硅(122)和位于上方的氧化硅(123)；ONO层(12)之上为多晶硅栅极(13)及其两侧的氮化硅侧墙(14)；氮化硅侧墙(14)两侧下方的阱(10)中具有轻掺杂漏注入区(15)；阱(10)中且在碳化硅(20)和轻掺杂漏注入区(15)外侧具有源漏注入区(16)。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||