| 发明名称 | 制造非易失性存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在包括第一区和第二区的衬底上形成第一绝缘层和第一导电层；通过刻蚀第一导电层、第一绝缘层和衬底而在第一区中形成第一隔离沟槽；形成填充在第一隔离沟槽中的第一隔离层；形成第二绝缘层和导电的覆盖层；刻蚀覆盖层和第二绝缘层；形成第二导电层；以及通过刻蚀第一区的第二导电层、覆盖层、第二绝缘层、第一导电层和第一绝缘层来形成第一栅图案，并且通过刻蚀第二导电层、第一导电层、第一绝缘层和衬底而在第二区中形成第二隔离沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN103066024A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201210390818.X | 申请日期 | 2012.10.15 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李南宰 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 周晓雨;俞波 |
| 主权项 | 一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在包括第一区和第二区的衬底上形成第一绝缘层和第一导电层；通过选择性地刻蚀所述第一区的第一导电层、第一绝缘层和衬底而在所述第一区中形成第一隔离沟槽；形成填充在所述第一隔离沟槽中的第一隔离层；在所述第一隔离层和所述第一导电层上形成第二绝缘层和导电的覆盖层；刻蚀所述第二区的覆盖层和第二绝缘层；在所得结构上形成第二导电层；以及通过选择性地刻蚀所述第一区的第二导电层、覆盖层、第二绝缘层、第一导电层和第一绝缘层来形成第一栅图案，并且通过选择性地刻蚀所述第二区的第二导电层、第一导电层、第一绝缘层和衬底而在所述第二区中形成第二隔离沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||