发明名称 |
锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管,在基区的周侧的浅槽场氧中形成一和基区相接触的槽,槽的深度小于等于基区的深度,在槽中填充有多晶硅并在多晶硅中掺入了N型杂质,由掺入N型杂质的多晶硅形成外基区,外基区和基区在基区的侧面相接触,在外基区上形成有金属接触并引出基极。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管的制作方法。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件,为电路提供多一种器件选择,能有效地缩小器件面积、减小器件的寄生效应、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的性能;本发明方法无须额外的工艺条件,能够降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN103066118A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201110326310.9 |
申请日期 |
2011.10.24 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈帆;王永成;陈雄斌 |
分类号 |
H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/737(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管,形成于硅衬底上,有源区由浅槽场氧隔离,其特征在于:PNP三极管的基区由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成;在所述基区的周侧的所述浅槽场氧中形成一和所述基区相接触的槽,位于所述槽中的所述浅槽场氧都被去除,所述槽的深度小于等于所述基区的深度,在所述槽中填充有多晶硅并在所述多晶硅中掺入了N型杂质,由掺入N型杂质的所述多晶硅形成外基区,所述外基区和所述基区在所述基区的侧面相接触,在所述外基区上形成有金属接触并引出基极;所述PNP三极管的集电区由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成,所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度;所述基区位于所述集电区上部并和所述集电区相接触;所述PNP三极管还包括一赝埋层,由形成于所述集电区周侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成,所述赝埋层和所述集电区在所述浅槽场氧底部相接触,在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极;所述PNP三极管的发射区由形成于所述有源区表面的且为P型掺杂的锗硅层组成;所述发射区和所述基区形成接触,在所述发射区顶部形成有金属接触并引出发射极。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |