发明名称 |
氧化物基材及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及氧化物基材及其制备方法,提供了一种具有原子层水平的平坦表面并适合形成钙钛矿氧化锰薄膜的氧化物基材。本发明的一个实施方式提供了一种单晶氧化物基材(10),其包含有(210)表面取向的SrTiO3的单晶支撑基材(1)和在支撑基材的(210)平面表面上形成的(LaAlO3)0.3-(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7(即LSAT)的单晶底层(2)。本发明的另一实施方式中,形成无定形态的LSAT底层(2A)。 |
申请公布号 |
CN103069056A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201280002392.4 |
申请日期 |
2012.03.02 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
荻本泰史 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
项丹 |
主权项 |
一种氧化物基材,其包含:(210)‑取向SrTiO3的单晶支撑基材;以及在所述支撑基材的(210)平面表面上形成的(LaAlO3)0.3‑(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7底层,即LSAT底层。 |
地址 |
日本神奈川县 |