发明名称 基于二象限探测器的放电等离子体电子密度测量装置与方法
摘要 本发明公开了一种放电等离子体电子密度测量装置及方法。装置包括探测光源、二象限探测器和信号处理器。将探测光源与二象限探测器分别放置在两个旋转平移台上,分置于放电装置的两端,使探测光源的激光对准二象限探测器的中心;重复多次将探测光源与二象限探测器在同一个维度上移动相同的距离,记录放电时不同位置二象限探测器两个光敏面的响应幅值比;再由信号处理器根据两个光敏面的响应幅值比计算出该维度上放电等离子体电子密度分布。本发明克服了传统测量装置系统结构复杂、设备昂贵的缺点,同时能够有效的提高测量精度,并且对放电等离子体不造成干扰,得到放电等离子体电子密度的空间分布。
申请公布号 CN103068136A 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN201210533905.6 申请日期 2012.12.11
申请人 华中科技大学 发明人 杨晨光;李斌;左都罗;王新兵;陆培祥;唐建;徐勇跃;刘力
分类号 H05H1/00(2006.01)I 主分类号 H05H1/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 曹葆青
主权项 一种放电等离子体电子密度测量装置,包括探测光源、二象限探测器和信号处理器,其特征在于:探测光源和二象限探测器分别用于位置在放电等离子体两端,二象限探测器用于探测探测光源所发出的光束经过放电等离子体所产生的偏折,信号处理器用于根据偏折得到放电等离子体的电子密度。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
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