| 发明名称 | 光电装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种光电装置，所述光电装置包括位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同的导电类型。所述光电装置还包括位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极以及与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。 | ||
| 申请公布号 | CN103066133A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201210319964.3 | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 李斗烈;金永镇;金东燮;牟灿滨;金英水;朴映相 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星 |
| 主权项 | 一种光电装置，包括：位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构具有不同的导电类型；位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极；与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构，层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||