发明名称 |
一种影像传感器晶圆的键合方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种影像传感器晶圆的键合方法,包括以下步骤:运用高密度等离子体化学气相淀积器件晶圆钝化层氧化物;对淀积钝化层氧化物的器件晶圆进行第一次化学机械研磨;将器件晶圆进行等离子体增强化学气相淀积法在原有的氧化物上再次淀积钝化层氧化物;对器件晶圆进行第二次化学机械研磨;将第二次化学机械研磨后的器件晶圆进行退火处理;将处理后的器件晶圆与进行等离子体增强化学气相淀积氧化物处理和化学机械研磨后的载片键合。有益效果是:在原有的第一次化学机械研磨后加入等离子体增强化学气相淀积和第二次化学机械研磨,更加有效的实现了晶圆表面的平坦度,解决了键合后可能产生的空洞问题。 |
申请公布号 |
CN103065945A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201310012320.4 |
申请日期 |
2013.01.14 |
申请人 |
陆伟 |
发明人 |
李平 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
杨立 |
主权项 |
一种影像传感器晶圆的键合方法,其特征在于,包括以下步骤:运用高密度等离子体化学气相淀积法对器件晶圆进行处理,淀积器件晶圆钝化层氧化物;对淀积钝化层氧化物的器件晶圆进行第一次化学机械研磨;将研磨后的器件晶圆进行等离子体增强化学气相淀积法处理,在器件晶圆原有的氧化物上再次淀积钝化层氧化物;对器件晶圆进行第二次化学机械研磨;将第二次化学机械研磨后的器件晶圆进行退火处理;将经上述步骤处理后的器件晶圆与进行等离子体增强化学气相淀积法处理和化学机械研磨后的载片键合。 |
地址 |
200124 上海市浦东新区海阳路905弄9号301室 |