发明名称 包括至少三层的等离子体沉积的阻隔涂层,获得该涂层的方法及带有该涂层的容器
摘要 本发明涉及一种使用低压等离子体在基底上沉积阻隔涂层的方法,其中所述等离子体是由反应液在电磁场的影响下通过部分电离获得的,所述化学反应液在低压下被注射到一个处理区域。所述方法包括:至少一个第一步骤,其中第一层在所述基底上沉积,其通过使混合物形成所述等离子态而获得,所述混合物至少包括一个有机硅化合物和另一种化合物;使第二层在所述第一层上沉积的第二步骤,该第二层基本上包括一个以SiOx为表达式的氧化硅,以及至少一个第三步骤,其中第三层在所述第二层上沉积,其通过使混合物形成所述等离子态而获得,所述混合物至少包括一种有机硅化合物和另一种化合物,所提到的另一种化合物都为含氮化合物形式,例如氮气。
申请公布号 CN101878322B 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN200880105603.0 申请日期 2008.07.03
申请人 西德尔公司 发明人 奈依迈·鲍特洛伊;纳赛尔·贝尔迪
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 代理人 张恒康
主权项 一种通过低压等离子体在热塑性基底上相对气体沉积阻隔涂层的方法,其中所述等离子体是由反应液在电磁场的影响下通过部分电离获得的,所述反应液在低压下被注射到处理区域,该方法包括:‑至少一个第一步骤,包括在所述热塑性基底上沉积一个第一层或粘附层,其通过使混合物呈所述等离子态而获得,所述混合物包括至少一种有机硅化合物和另一种化合物,‑至少一个第二步骤,包括在所述第一层上沉积一个第二层或阻隔效果层,其通过使化合物呈所述等离子态而获得,所述化合物基本上由一个以SiOx为表达式的氧化硅构成,其中x表明了氧含量对硅含量的比例,x的值在1.5到2.2之间,其中所述第二层有一个相对气体的阻隔效果,以及‑至少一个第三步骤,包括在所述第二层上沉积一个第三层,其通过使混合物呈所述等离子态而获得,所述混合物包括至少一种有机硅化合物和另一种化合物,‑用于形成所述第一层和第三层的所述混合物至少含有相类似的成分,其特征在于,所述另一种化合物都是含氮化合物,且所述第一层和第三层有一种以SiOxCyHzNu为表达式的化学构成,其中,x的值定在1到1.5之间,y的值定在0.5到2之间,z的值定在0.5到2之间,u的值定在0.1到1之间,该特征使得,尽管所述第一层和第三层并非各自具有任何相对气体的阻隔效果,但所述第一层、第二层和第三层作为一个整体则具有相对气体的阻隔效果,其效果比所述第一层和第二层单独提供的效果大得多。
地址 法国奥克特维尔旭慕