防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法

摘要

本发明公开了一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法，在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中，添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素。本发明可以防止再结晶晶粒粗化，碳化后，在结晶晶粒细化，无贯通状晶界滑移线条，提高了产品合格率，降低最终产品在运输销售使用中的故障率。

主权项

一种防止再结晶晶粒粗化的磁控管阴极材料的生产方法，其特征是：在制备以钨、钍为主要成分的磁控管阴极材料过程中，添加具有发射功能的铼、镧、钇、铈中的至少一种元素，其中钨为氧化钨、钍为硝酸钍，上述各组分的重量百分比为：氧化钨           97~98.9%硝酸钍           0.5~2%发射功能元素     0.0001~1%；具体依次包括下列步骤：（1）水溶合：将氧化钨用去离子水浸没，成稠状；将发射功能元素铼、镧、钇、铈中的一种或多种分别与加去离子水溶解，得发射功能元素液；（2）混合：将步骤（1）得到的氧化钨稠状物加入搅拌机，边搅拌边加入步骤（1）得到的发射功能元素液，然后在90~110℃烘箱中处理，再粉碎；（3）还原：在纯氢保护下，进行高温还原处理； （4）混粉：将经上述处理得到的粉粒在混料机中均混；（5）成型：按钨粉成型方法成型，并经压坯、预烧、锤熔处理，得坯条；（6）锻制：先按比重将上述坯条分成不同比重类型，将比重较低的坯条锻打压缩，使其比重与较高比重的坯条类型相同；（7）将经步骤（6）得到的材料，在加热炉中加热、拉伸，得产 品；步骤（3）进行三次高温还原处理；第一次还原处理时在300~800℃下处理，过筛200目；第二次还原处理是在1000℃下进行，第三次还原处理是在1100℃下进行；步骤（1）中氧化钨与去离子水的重量比为1:1，发射功能元素与加去离子水的重量比例为1:10；步骤（6）的具体方法是：先按比重将上述坯条分成18.2≤比重≤19.9和17.6≤比重<18.2两种，并将17.6≤比重<18.2的坯条锻打压缩，使其比重为18.2≤比重≤19.9。