| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，优选为1×1018atoms/cm3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103066128A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201210410515.X | 申请日期 | 2012.10.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 栃林克明;日向野聪;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在绝缘表面上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上形成绝缘层，该绝缘层与所述栅电极层重叠；在所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上形成导电膜；使用含有卤素元素的蚀刻气体对所述导电膜进行蚀刻来形成源电极层和漏电极层；以及去除所述氧化物半导体膜中的所述卤素元素。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||