半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括在衬底上的多个图案之间形成彼此相邻的沟槽；在沟槽中形成第一牺牲层；在多个图案和第一牺牲层上形成具有多个孔的第一多孔绝缘层；以及通过第一多孔绝缘层的多个孔去除第一牺牲层，以在多个图案之间和第一多孔绝缘层下方形成第一空气隙。

主权项

一种半导体器件，包括：沟槽中的绝缘隔离层，所述沟槽限定了在第一方向上延伸的多个有源区；以及所述绝缘隔离层上方的多个第一多孔绝缘层，其中所述多个第一多孔绝缘层中的每一个第一多孔绝缘层通过第一空气隙与所述绝缘隔离层分隔开。