一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅薄膜低温快速晶化方法。以单晶硅Si（100晶相）为衬底，利用磁控溅射镀膜仪在单晶硅衬底上溅射一层非晶硅（α-Si）薄膜和Al膜，利用光热退火炉在N2气氛下150℃~200℃退火，得到多晶硅薄膜。利用Al诱导非晶硅薄膜晶化，可以在较低温度（150℃~200℃）下晶化，得到晶粒尺寸在20~100nm的多晶硅薄膜，降低了成本，退火时间短，降低了晶化过程中的能耗，晶化率达到40%~70%，能很好的与非晶硅微晶硅叠层太阳电池器件的要求相匹配。

主权项

一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法，其包括：室温下在单晶硅衬底上溅射一层非晶硅（α‑Si）薄膜；再在非晶硅（α‑Si）薄膜上溅射一层铝（Al）膜；利用光热退火炉在N2气氛下退火，其特征在于：按以下步骤实施：  A、利用磁控溅射技术在单晶硅Si(100)衬底上室温溅射一层非晶硅（α‑Si）薄膜，  B、再在非晶硅（α‑Si）薄膜上溅射一层铝（Al）薄膜，  C、利用光热退火炉在N2气氛下150℃~200℃退火5min~15min，得到多晶硅薄膜成品。