一种制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导

摘要

本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。

主权项

一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一包括硅衬底、埋氧层及顶层半导体的绝缘体上半导体衬底，于所述顶层半导体表面形成间隔排列的多个条状的光刻胶图形；2）依据所述光刻胶图形采用干法刻蚀将所述顶层半导体刻蚀成间隔排列的多个半导体条结构，并去除所述光刻胶图形；3）采用HF溶液将所述埋氧层腐蚀成多个宽度小于所述半导体条结构宽度的支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；4）提供一PDMS衬底，将该PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；5）将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，在剪切应力的作用下使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底。