| 发明名称 |
发光二极管晶粒 |
| 摘要 |
一种发光二极管晶粒，包括基板和形成于基板上的磊晶层，该基板包括上表面，该磊晶层包括靠近基板的第一半导体层、远离基板的第二半导体层、夹设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，所述磊晶层远离基板的顶部的边缘为圆弧角或倾斜的倒角，从而利于磊晶层侧面的光线的出射，提高发光二极管晶粒的出光效率。 |
| 申请公布号 |
CN103066177A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
| 申请号 |
CN201110318277.5 |
申请日期 |
2011.10.19 |
| 申请人 |
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
洪梓健;沈佳辉;彭建忠 |
| 分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管晶粒，包括基板和形成于基板上的磊晶层，该基板包括上表面，该磊晶层包括靠近基板的第一半导体层、远离基板的第二半导体层、夹设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，其特征在于：所述磊晶层远离基板的顶部的边缘为圆弧角或倾斜的倒角。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |
