| 发明名称 | 一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却至室温，得到所述单晶石墨烯。该石墨烯具有规则的几何形貌，如正六变形和正十二变形。该方法工艺简单，与现有半导体工业兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN103060907A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201210581219.6 | 申请日期 | 2012.12.27 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 刘云圻;陈建毅;黄丽平;薛运周;耿德超;罗庇荣;武斌;郭云龙;于贵 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法，包括如下步骤：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200‑1800℃，保持10‑60分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却，得到所述单晶石墨烯。 | ||
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