发明名称 |
发光二极管激光剥离方法 |
摘要 |
一种发光二极管激光剥离方法,其为于一转换基板上外延形成一外延层之前,对应该外延层的隔离区域,先于该转换基板上形成一高低落差结构,据此于具有该高低落差结构的该转换基板之上,外延形成该外延层,即可藉由该高低落差结构释放材料接口间的应力,因而在激光剥离该转换基板与该外延层时,即可有效降低破片机率,而提升工艺合格率。 |
申请公布号 |
CN103066166A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201110319324.8 |
申请日期 |
2011.10.18 |
申请人 |
联胜光电股份有限公司 |
发明人 |
陈复邦;曾瑞贤;张智松 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;B23K26/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥 |
主权项 |
一种发光二极管激光剥离方法,应用于一转换基板与一外延层的激光剥离,且该外延层定义有一隔离区域以隔出多个晶粒,其特征在于:在于该转换基板上外延形成该外延层之前,对应该外延层的隔离区域,先于该转换基板上形成一高低落差结构,再让该转换基板上外延形成该外延层。 |
地址 |
中国台湾台中市大雅区科雅路33号5楼 |