发明名称 发光二极管激光剥离方法
摘要 一种发光二极管激光剥离方法,其为于一转换基板上外延形成一外延层之前,对应该外延层的隔离区域,先于该转换基板上形成一高低落差结构,据此于具有该高低落差结构的该转换基板之上,外延形成该外延层,即可藉由该高低落差结构释放材料接口间的应力,因而在激光剥离该转换基板与该外延层时,即可有效降低破片机率,而提升工艺合格率。
申请公布号 CN103066166A 申请公布日期 2013.04.24
申请号 CN201110319324.8 申请日期 2011.10.18
申请人 联胜光电股份有限公司 发明人 陈复邦;曾瑞贤;张智松
分类号 H01L33/00(2010.01)I;B23K26/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥
主权项 一种发光二极管激光剥离方法,应用于一转换基板与一外延层的激光剥离,且该外延层定义有一隔离区域以隔出多个晶粒,其特征在于:在于该转换基板上外延形成该外延层之前,对应该外延层的隔离区域,先于该转换基板上形成一高低落差结构,再让该转换基板上外延形成该外延层。
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