发明名称 | 一种制备直接带隙Ge薄膜的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种制备直接带隙Ge薄膜的方法,包括提供一GeOI衬底;对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理,开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口;湿法腐蚀直至埋氧层被彻底腐蚀掉,使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触;提供一PDMS载体,所述PDMS载体与所述顶层锗纳米薄膜紧密接触,从而将与硅衬底虚接触的顶层锗纳米薄膜转移到PDMS载体上;将该PDMS载体两端夹紧,并反向施加机械拉伸使得顶层锗纳米薄膜随着PDMS载体的拉伸而形变,在其内部产生张应变。采用本发明的方法制备的直接带隙Ge薄膜应变大小可控,可用于光电器件;其具有低缺陷、低位错密度的特点;通过机械拉伸制备直接带隙Ge纳米薄膜的方法工艺简单,成本较低。 | ||
申请公布号 | CN103065938A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
申请号 | CN201210593808.6 | 申请日期 | 2012.12.31 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 狄增峰;郭庆磊;张苗;卞剑涛;叶林;陈达 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
主权项 | 一种制备直接带隙Ge薄膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:提供一GeOI衬底;其包括硅衬底、位于该硅衬底上的埋氧层以及位于该埋氧层上的顶层锗纳米薄膜;采用光刻以及RIE技术对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理,开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口;湿法腐蚀,自所述腐蚀窗口对GeOI衬底进行腐蚀,直至埋氧层被彻底腐蚀掉,使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触;提供一PDMS载体,所述PDMS载体与所述图形化的顶层锗纳米薄膜紧密接触,从而将与硅衬底虚接触的图形化的顶层锗纳米薄膜转移到PDMS载体上;将载有图形化的顶层锗纳米薄膜的PDMS载体两端夹紧,并向两端施加机械拉伸使得顶层锗纳米薄膜随着PDMS载体的拉伸而形变,在其内部产生张应变。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |