发明名称 |
MEMS压力传感器阵列、其制作方法及压力测量方法 |
摘要 |
不同于采用空腔内压强为某一特定大小的MEMS压力传感器进行压力测量的方案,本发明采用位于同一芯片的每个空腔内压强大小不等的多个MEMS压力传感器,即MEMS压力传感器阵列进行压力测量,当外界压强变化时,尤其变化剧烈时,使得至少一个MEMS压力传感器的空腔内压强可能接近测量环境的压强,利用该MEMS压力传感器的敏感薄膜在平衡位置(上下压强接近)附近具有的较好线性度,从而实现对外界压力测量准确的目的,此外,相对于特定空腔内压强的压力传感器,也可以实现较大压强范围的测量。基于上述MEMS压力传感器阵列,本发明还提供了该MEMS压力传感器阵列的制作方法,用于该MEMS压力传感器阵列的压力测量方法。 |
申请公布号 |
CN103063350A |
申请公布日期 |
2013.04.24 |
申请号 |
CN201210564055.6 |
申请日期 |
2012.12.21 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
黎坡 |
分类号 |
G01L9/12(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01L9/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种MEMS压力传感器阵列,其特征在于,包括:位于同一芯片的n个MEMS压力传感器,n≥2,每个所述MEMS压力传感器具有第一电极、适于用作第二电极的图形化的敏感薄膜及两者之间形成的空腔,各MEMS压力传感器的空腔内的压强分别为P1、P2…Pn,其中,P1、P2....Pn互不相等。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 |