一种影像传感器晶圆背面处理方法

摘要

本发明涉及一种影像传感器晶圆背面处理方法，包括对晶圆表面进行抛光处理，使其平坦化；将晶圆的正面与载片键合连接；对晶圆背面进行减薄处理；采用臭氧对晶圆背面表面处理，其中臭氧浓度为20～80毫克/升，处理时间为6～15分钟，处理后在晶圆背面生成一层氧化薄膜，氧化薄膜厚度为10～15埃；在晶圆背面生成的氧化薄膜上淀积一层高介质层；在所述高介质层上淀积一层金属遮蔽层。本发明通过利用臭氧的高活性，在不需要额外的热工艺的基础上在器件晶圆的硅基底背面生长出质量较高的氧化物薄膜，解决器件晶圆背面减薄过程造成的表面缺陷的问题，避免影像传感器产生串扰等问题。本发明优势在于温度低，成本低，工艺容易控制。

主权项

一种影像传感器晶圆背面处理方法，其特征在于，包括以下步骤，对晶圆表面进行抛光处理，使其平坦化；将晶圆的正面与载片键合连接；对晶圆背面进行减薄处理；采用臭氧对晶圆背面表面处理，在晶圆背面生成一层氧化薄膜；在晶圆背面生成的氧化薄膜上淀积一层高介质层；在所述高介质层上淀积一层金属遮蔽层。