| 发明名称 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提出一种具有在衬底（1）上的、由氮化合物半导体材料制成的半导体层序列（2）的半导体器件，其中衬底（1）具有朝向半导体层序列（2）的硅表面，并且半导体层序列（2）具有有源区域（21）并且在衬底（1）和有源区域（21）之间具有由氧掺杂的AlN化合物半导体材料制成的至少一个中间层（3）。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103069583A | 申请公布日期 | 2013.04.24 |
| 申请号 | CN201180041470.7 | 申请日期 | 2011.08.11 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 彼得·施陶斯;菲利普·德雷克塞尔;约阿希姆·赫特功 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 具有在衬底（1）上的、由氮化合物半导体材料制成的半导体层序列（2）的半导体器件，其中所述衬底（1）具有朝向所述半导体层序列（2）的硅表面，并且所述半导体层序列（2）具有有源区域（21）并且在所述衬底（1）和所述有源区域（21）之间具有由氧掺杂的AlN化合物半导体材料制成的至少一个中间层（3）。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||